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研究Ａｇ包套Ｂｉ２２２３１９芯带材在垂直场和平行场以及３０Ｋ温度下的临界电流密度，磁化强度和磁滞损耗；利用临界态模型Ｊｃ（Ｂ）＝Ｊｃｏｅ＾－Ｂ／Ｂ０给出了临界电流密度，磁化强度和磁滞损耗在磁场大于穿透场时的解析表达式，并与实验结果进行了比较。
30K下Bi2223／Ag多芯带材的磁化和磁滞损耗
【摘 要】
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研究Ａｇ包套Ｂｉ２２２３１９芯带材在垂直场和平行场以及３０Ｋ温度下的临界电流密度，磁化强度和磁滞损耗；利用临界态模型Ｊｃ（Ｂ）＝Ｊｃｏｅ＾－Ｂ／Ｂ０给出了临界电流密度，磁化强度和磁滞损耗在磁场大于穿透场时的解析表达式，并与实验
【机 构】
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中国科学院电工研究所
【出 处】
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低温与超导
【发表日期】
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1997年4期
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