光CVD-SiO2薄膜的研究

来源 :西北电讯工程学院学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：newyidiyu

【摘要】

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本文论述了光化学气相淀积（光CVD）SiO2薄膜的原理及方法。用光CVD技术在50～200℃条件下,在Si、InSb及HgCdTe晶片上淀积了SiO2薄膜。对薄膜的物理性质和化学性质进行了讨论。结果

【作者】

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【机构】

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西北电讯工程学院微电子研究所,西北电讯工程学院微电子研究所,西北电讯工程学院微电子研究所,西北电讯工程学院微电子研究所,西北电讯工程学院微电子研究所,

【出处】

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西北电讯工程学院学报

【发表日期】

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1988年01期

【关键词】

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本文论述了光化学气相淀积（光CVD）SiO₂薄膜的原理及方法。用光CVD技术在50～200℃条件下,在Si、InSb及HgCdTe晶片上淀积了SiO₂薄膜。对薄膜的物理性质和化学性质进行了讨论。结果表明:光CVD技术在半导体低温化工艺中将很有前途。

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