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利用基于密度泛函理论的超软赝势方法（PWP），结合局域密度近似（LDA）计算替位式掺杂B的Sr2MgSi2O7的电子结构。预测了B掺杂Sr2MgSi2O7的晶胞参数；对引入杂质前后电子结构的异同以及价键的性质进行了对比分析，结果表明杂质引入后，B所带正电荷为0．89，B-O键键长为1．4948A，B-O键表现出共价键性质，能带结构中出现了新的定域能级，态密度出现了新峰，说明B掺杂可以延长余辉时间。