【摘 要】
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采用PIN二极管并联结构设计了一个X波段内8GHz~11GHz中功率单刀双掷开关.设计中选择了合适的二极管,建立其开路、短路等效电路模型;对微带电路的结构进行了仿真和优化.并根据
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采用PIN二极管并联结构设计了一个X波段内8GHz~11GHz中功率单刀双掷开关.设计中选择了合适的二极管,建立其开路、短路等效电路模型;对微带电路的结构进行了仿真和优化.并根据优化结果制作并测试了单刀双掷开关.制作中通过采用LTCC基板材料,实现小型化,解决了散热难题,同时减小了装配难度,有利于生产.该开关插入损耗小于0.6dB;开关隔离度大于24dB;耐功率容量大于20W(CW).
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