ZAlSi12Cu2Mg1微弧氧化过程中负向电压对陶瓷膜层形成的影响

来源 :稀有金属材料与工程 | 被引量 : 0次 | 上传用户:GOUGOU2929
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在交流条件下,采用硅酸钠电解液,通过调节不同的负向电压值,在ZAlSi12Cu2Mg1合金表面制得了微弧氧化陶瓷膜层。研究了不同的负向电压值对陶瓷膜层形成过程的影响。结果表明:负向电压从80V到160V变化时,氧化时间从5min延长到65min,膜层厚度从28μm增加到208μm,致密度从0.267g/cm^3增大到1.048g/cm^3,特别是微弧氧化第2阶段氧化时间,在负向电压为160V时持续了32min,试样表面逐渐变粗糙;在电解液组成为NaSiO3 8g/L,NaOH 2g/L,Na2EDTA 2
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