【摘 要】
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本文针对文献报道的2N2222晶体管中子辐射实验结果,开展了硅基三极管的脉冲中子辐射效应仿真研究.首先,介绍了基于连续性假设的硅基器件脉冲中子辐射效应TCAD仿真方法:通过求解中子诱发缺陷与载流子的连续性方程,可计算脉冲中子辐射过程中缺陷的动力学演化过程,以及器件电学性能的瞬态响应;给出了仿真方法使用的物理模型、缺陷种类、缺陷之间的反应类型和反应参数等,以及在TCAD软件中的实现过程.然后,以文献
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本文针对文献报道的2N2222晶体管中子辐射实验结果,开展了硅基三极管的脉冲中子辐射效应仿真研究.首先,介绍了基于连续性假设的硅基器件脉冲中子辐射效应TCAD仿真方法:通过求解中子诱发缺陷与载流子的连续性方程,可计算脉冲中子辐射过程中缺陷的动力学演化过程,以及器件电学性能的瞬态响应;给出了仿真方法使用的物理模型、缺陷种类、缺陷之间的反应类型和反应参数等,以及在TCAD软件中的实现过程.然后,以文献中2N2222晶体管为对象,进行了中子辐射损伤模型与仿真方法的验证,结果表明辐射退火完成后2N2222基
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本文分析了国外工业互联网安全相关事件及其呈现的特点,从政策文件、标准规范、技术创新、产业发展等角度介绍了国外工业互联网安全发展情况,对我国工业互联网安全发展提出了有针对性的建议。
工业控制系统是电力、交通、水利等国家关键基础设施的神经中枢,直接涉及国家关键基础设施的安全运行,正面临越来越多的网络攻击。本文针对工控系统业务流程的入侵检测技术,分别从工控系统概述、入侵检测技术分析、基于业务流程的工控入侵检测研究及其发展趋势展开论证,并着重论述了传感器流程攻击检测、控制器流程检测、控制架构流程攻击检测等方面的入侵检测技术。
自中共中央政治局常务委员会3月4日提出"加快5G网络、数据中心等新型基础设施建设进度"以来,"新型基础设施建设"的浪潮就席卷了整个神州大地,各地纷纷密集布局"新基建",谋划新项目,点燃经济发展的新引擎。"新基建"已成为推动我国社会经济向数字化智能化转型的主要抓手,发挥着至关重要的作用。显然,以数字化为核心的新型基础设施建设,不仅
数字革命为全球抓住机遇的国家创造了经济繁荣,促使世界各主要国家将数字经济作为未来发展的主要方向。然而,新一代信息技术在促进数字经济新产业、新业态、新模式加速成熟的同时,也带来日益凸显的网络安全威胁和风险。坚持统筹"发展和安全"并重的原则,面对数字经济发展面临的安全挑战,才能为推进数字经济高质量发展保驾护航。
本文设计了一种新的三维自适应迎风稳定化有限元方法(SUPG-IP),并对比研究了几种半导体器件模拟的并行有限元方法.数值模拟结果表明:稳定化有限元方法适用于大偏压以及高掺杂器件模拟;而经典的Zlamal有限元方法更适用于计算半导体器件的电学响应曲线.我们基于三维并行自适应有限元平台PHG开发了半导体器件漂移扩散模型求解器DevSim,并对几种典型的半导体器件进行了模拟测试.计算结果与商业软件Sen
本文主要从完整性、保密性、可用性、可控性等角度分析了ICT供应链存在的安全风险,设计了ICT供应链安全风险评估实践模型,并从主管监管和企业执行两个层面提出加强ICT供应链安全监管体系建设的建议。
芯片产业是目前我国核心技术"卡脖子"的重灾区.半导体器件仿真又是该行业核心技术中不可或缺的一环.国内在半导体器件仿真的核心算法和自主软件研发方面的积累相比硬件环节更加薄弱.另外,器件的辐照损伤效应也密切关乎航天、核能等国家重要工业,这方面的仿真算法和自主软件研制也受到相应限制.可喜的是近年来国家已十分重视工业仿真技术,大力投入研发力量力图改善现状,并已取得一些初步成果.本专辑就是在这样的背景下旨在
本文研究了半导体器件伽马辐照电离损伤效应定量物理模型系列算法,其中包括有限元空间离散、隐式时间积分以及非线性系统解耦迭代算法.算法有效地处理了电离损伤模型多组分、电-输运-反应多物理耦合以及强刚性等难点.基于三维并行有限元平台(PHG),我们完成了半导体器件电离辐照效应三维并行求解器TIDSim的研制.针对典型场效应晶体管NMOS、双极晶体管GLPNP进行了电离辐照损伤模拟,数值模拟结果与器件辐照
CMOS图像传感器是空间光学成像系统中的关键电子器件,但受到空间总剂量辐射效应影响其特性发生退化,特别是暗电流显著增大.本文利用TCAD仿真工具构建了4T CMOS图像传感器像素单元的二维仿真结构,利用总剂量效应模型计算了器件氧化层中辐射诱导氧化物陷阱电荷和界面态在不同累积剂量下的分布,并计算了器件暗电流随累积剂量的变化,以及传输栅对辐照暗电流的影响.通过分析辐照前后器件内部耗尽区的变化,以及传输
半导体器件的电离辐射效应涉及到材料内部的一系列物理过程,包括空穴对的产生与复合、载流子的输运以及氧化物陷阱电荷和界面态电荷的形成与累积.空穴和H~+的输运机制是理解电离辐射效应的关键环节,其中空穴的输运影响着氧化物陷阱正电荷的形成、退火以及H~+的释放,从而影响界面态电荷的形成.本文建立Si/SiO_2界面的物理模型,借助TCAD数值模拟方法,分析不同剂量率辐照条件下空穴和H~+在SiO_2体内的