【摘 要】
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由于SiN薄膜具有SiO2、TiO2等薄膜无法相比的优点,越来越广泛地用做硅太阳电池减反射薄膜,对其制备工艺研究更深入。在总结最近的研究状况的基础上,提出了PECVD(Plasma enhan
【机 构】
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昆明理工大学光电子新材料研究所,昆明理工大学真空冶金及材料研究所
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由于SiN薄膜具有SiO2、TiO2等薄膜无法相比的优点,越来越广泛地用做硅太阳电池减反射薄膜,对其制备工艺研究更深入。在总结最近的研究状况的基础上,提出了PECVD(Plasma enhanced chemistry vapordeposition)制备SiN薄膜的最佳工艺条件:衬衣温度在360℃左右,射频频率为13.56 MHz,射频功率最好在30~20W的范围,[SiH4∶N2]/[NH3]的最佳流速比在4~7之间,退火温度350~400℃最合适,退火时间10 s到10 min。此外,在总结前人研究的基础上认为SiN薄膜中嵌入Si-ncs将会是提高太阳电池效率的一个方向,还有待于进一步研究。
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