【摘 要】
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本文采用射频磁控溅射法,结合氩气气氛退火工艺制备了VO2薄膜。通过优化磁控溅射和热退火工艺,结合激光拉曼光谱仪(Raman)、X射线光电子能谱(XPS)、电镜扫描(SEM)对薄膜的相
【机 构】
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郧阳师范高等专科学校物理系,云南大学物理科学技术学院物理系,
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本文采用射频磁控溅射法,结合氩气气氛退火工艺制备了VO2薄膜。通过优化磁控溅射和热退火工艺,结合激光拉曼光谱仪(Raman)、X射线光电子能谱(XPS)、电镜扫描(SEM)对薄膜的相结构、组分和表面形貌进行分析。结果表明:溅射衬底温度为150℃,在450℃氩气气氛退火2.5 h能制备出高质量的VO2薄膜,表面呈米粒状,有一定的取向性。
In this paper, RF magnetron sputtering method, combined with argon atmosphere annealing process prepared VO2 film. The phase structure, composition and surface topography of the films were analyzed by magnetron sputtering and thermal annealing process combined with Raman, XPS and SEM. The results show that high quality VO2 thin films can be prepared by sputtering at a substrate temperature of 150 ℃ and annealing at 450 ℃ in argon for 2.5 h.
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