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研制了一种平面集成多晶发射极SiGe HBT。经测量，在室温下电流增益β大于1500，最大达到2800，其Vceo为5V，厄利（Early）电压VA大于10V，βVh乘积达到15000以上。这种器件对多晶硅发射极砷杂质浓度分布十分敏感。
一种高电流增益的SiGe HBT的研制
【摘 要】
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研制了一种平面集成多晶发射极SiGe HBT。经测量，在室温下电流增益β大于1500，最大达到2800，其Vceo为5V，厄利（Early）电压VA大于10V，βVh乘积达到15000以上。这种器件对多晶硅发射极
【机 构】
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江苏淮安信息职业技术学院
【出 处】
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中国集成电路
【发表日期】
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2008年6期
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