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许多现代功率MOSFET在5V时达到导通电阻的低值,甚至在栅极到源极电压为5V的情况下也可达到.然而,对于大功率MOSFET,特别是绝缘栅极双极晶体管(IGBT),工程师更希望栅极到源极电压为12V-15V,因为这些电源开关的导通电阻在高栅极到源极电压情况下会进一步降低.
隔离式MOSFET驱动器IC功效在轻载时得到改善
【摘 要】
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许多现代功率MOSFET在5V时达到导通电阻的低值,甚至在栅极到源极电压为5V的情况下也可达到.然而,对于大功率MOSFET,特别是绝缘栅极双极晶体管(IGBT),工程师更希望栅极到源极
【机 构】
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斯洛伐克布拉迪斯拉发,斯洛伐克技术大学
【出 处】
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电子设计技术
【发表日期】
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2009年4期
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