磁控溅射制备纳米TiO2薄膜导电性的研究

来源 :无机材料学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：wangshuanghong2009

【摘要】

：

研究了在纳米厚度范围内,TiO2薄膜的导电性与薄膜厚度和基底材料的关系.利用射频磁控溅射方法,使用高纯Ti(99.99%)靶,通入Ar和O2的混合气体,制备了TiO2薄膜,薄膜膜厚15～225nm

【作者】

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顾广瑞李英爱陶艳春何志赵永年

【机构】

：

吉林大学超硬材料国家重点实验室,吉林大学超硬材料国家重点实验室,吉林大学超分子结构和谱学开放实验室,吉林大学超硬材料国家重点实验室

【出处】

：

无机材料学报

【发表日期】

：

2003年6期

【关键词】

：

TIO2薄膜导电性电阻率界面电子转移 TiO2 thin films conductivity resistivity transfer of elect

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研究了在纳米厚度范围内,TiO2薄膜的导电性与薄膜厚度和基底材料的关系.利用射频磁控溅射方法,使用高纯Ti(99.99%)靶,通入Ar和O2的混合气体,制备了TiO2薄膜,薄膜膜厚15～225nm在室温下测量了不同厚度TiO2薄膜的电阻率,发现TiO2薄膜的导电性,先后在导体、半导体和绝缘体范围变化.这归因于基底材料与TiO2的功函数不同,导致了界面电子的转移,功函数差决定了电子转移的深度.

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