论文部分内容阅读
采用变剂量率和变温两种辐照方法，对4款典型模拟电路的低剂量率辐照损伤特性及变化规律进行了研究与评估，分析了两种辐照方法下其辐照敏感参数的变化，比较了不同辐照方式下器件的退化程度，讨论了这两种实验室加速评估低剂量率辐照损伤方法的机理．结果显示，变剂量率辐照可以较快地预测实际低剂量率下的辐照损伤趋势，且在较低的总剂量下能够给出不太保守的估计，但其预测的总剂量受到器件退化速度的影响；变温辐照加速评估方法能够保守地估计其低剂量率下的辐照损伤，其评估范围不仅可达1000Gy（Si），且可将评估时间缩短为12h左右．