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提出一种基于化学镀方法替代真空蒸发镀制备聚合物发光二极管(LED)阴极的思路。采用Ag(NH3)2^+-KNaC4H4O6体系将纳米Ag沉积于MEH-PPV薄膜表面并形成ITO/MEH-PPV/Ag发光二极管。用SEM和XRD表征化学镀银层结构与形态,通过椭偏仪研究MEH-PPV浓度、体积等旋涂条件对其厚度影响的规律,初探发光二极管性能。结果表明,当MEH-PPV浓度为5.5mg·mL^-1,加入量15μL,旋转18s(1800r/s)和30s(3000r/s)时,MEH-PPV厚度能控制在10