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FDFME3N311ZT结合了30V集成式N沟道Power Trench MOSFET和肖特基二极管，具有极低的输入电容（典型值55pF）和总体栅极电荷（InC）。其肖特基二极管的反向泄漏电流随温度升高的变化小，可以防止转换器效率随封装温度升高而降低。
用于高频步进DC／DC的升压开关
【摘 要】
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FDFME3N311ZT结合了30V集成式N沟道Power Trench MOSFET和肖特基二极管，具有极低的输入电容（典型值55pF）和总体栅极电荷（InC）。其肖特基二极管的反向泄漏电流随温度升高的变化小，可
【出 处】
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今日电子
【发表日期】
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2010年3期
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