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根据电相互作用原理，从微观角度分析了霍尔电势差，导体、绝缘体和半导体两端电势差产生的机理．认为在外电场的作用下价电子吸收外电场能量，并将其转化为晶格势场中的电势能，从而导致价电子在晶格势场中的电势降落（价电子远离原子核），因此，在霍尔元件上垂直于外电场方向上存在霍尔电势差，导体、绝缘体、半导体两端的电势差都是沿外电场方向所有价电子在晶格势场中的电势降落的总和．同时首次给出了空穴形成的物理图象：价电子由电负性弱的原子向电负性强的原子转移形成空穴．也首次给出了反映晶体各向异性的方法一一测量非外电场方向绝缘体、