【摘 要】
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对用低价硫化铝的歧化反应在镀铝膜和富集催化剂中贵金属作了研究.用蒸发源(4AI+A12S3)进行反应蒸发镀膜,系统真空度为5 Pa左右,温度为1 100℃.所得镀层表面光滑、平整,扩散
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对用低价硫化铝的歧化反应在镀铝膜和富集催化剂中贵金属作了研究.用蒸发源(4AI+A12S3)进行反应蒸发镀膜,系统真空度为5 Pa左右,温度为1 100℃.所得镀层表面光滑、平整,扩散层厚.镀膜层为Fe3Al及AlFe两相,镀膜时,基体温度应大于800℃.用该种方法富集催化剂中贵金属时,试验表明,在温度1 200～1 400℃、真空度大于666.7 Pa下,反应蒸馏3 h,可使氧化铝还原20%左右,贵金属富集1.2倍;相同条件下蒸馏四次,可使贵金属富集1.6倍,收率大于92%,实验中得到表面严重氧化的细小
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