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期刊论文
系列PVC膜离子半导体敏感器件的研制
系列PVC膜离子半导体敏感器件的研制
来源 :化学传感器 | 被引量 : 0次 | 上传用户:yuhmmmmm
【摘 要】
:
一、引言自从1970年Bergveld将MOS场效应晶体管的金属栅去掉,让绝缘层(SiO2或Si3N4)与溶液相接触,发现它对溶液中Na+,H+能产生响应,从而研制成功了H+、Na+半导体敏感器件(简称IS
【作 者】
:
黄德培
朱春生
付庭治
施友纯
陆宗寰
吴瑶
【机 构】
:
南京大学,常熟半导体器件厂
【出 处】
:
化学传感器
【发表日期】
:
1986年1期
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一、引言自从1970年Bergveld将MOS场效应晶体管的金属栅去掉,让绝缘层(SiO2或Si3N4)与溶液相接触,发现它对溶液中Na+,H+能产生响应,从而研制成功了H+、Na+半导体敏感器件(简称ISFET)。并用于生物体内Na+、H+活度的测定。继后引起了许多国内
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