【摘 要】
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设计了一个基于TSMC 0.18μm CMOS工艺的2.45 GHz全差分CMOS低噪声放大器。根据电路结构特点,采用图解法对LNA进行功耗约束下的噪声优化,以选取最优的晶体管栅宽;设计了仅消
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设计了一个基于TSMC 0.18μm CMOS工艺的2.45 GHz全差分CMOS低噪声放大器。根据电路结构特点,采用图解法对LNA进行功耗约束下的噪声优化,以选取最优的晶体管栅宽;设计了仅消耗15μA电流的偏置电路;采用在输入级增加电容的方法,在改善输入匹配网络特性的同时,解决了栅极电感的集成问题。仿真结果表明:LNA噪声系数为1.96 dB,功率增益S21超过20 dB,输入反射系数S11和输出反射系数S22分别小于-30 dB和-20 dB,反向功率增益S12小于-30 dB,1 dB压缩点和三阶互调输入点IIP3分别达到-17.1 dBm和-2.55 dBm,整个电路在1.8V电源下功耗为22.4 mW。
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