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本文研究了介电常数失配对ＣｄＴｅ／ＺｎＴｅ应变量子阱中浅施主杂质结合结合能的影响，在有效质量近似下，利用变分方法计算了阱宽、杂质位置及应变对结合能的影响，得一邓介电失配使结合能减小的结论。
CdTe／ZnTe应变量子阱中的浅施主结合能
【摘 要】
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本文研究了介电常数失配对ＣｄＴｅ／ＺｎＴｅ应变量子阱中浅施主杂质结合结合能的影响，在有效质量近似下，利用变分方法计算了阱宽、杂质位置及应变对结合能的影响，得一邓介电失配使结合能减小的结
【机 构】
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辽宁大学物理系
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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1998年11期
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