【摘 要】
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本文采用HWA-MWECR - CVD系统制备了微晶硅薄膜.研究了氢稀释比、反应压强以及微波功率对微晶硅薄膜非晶转微晶相变及其相关性能的影响.实验结果表明:当氢稀释比为94％、反应压
【机 构】
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西北大学物理系,北京工业大学材料科学与工程学院
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本文采用HWA-MWECR - CVD系统制备了微晶硅薄膜.研究了氢稀释比、反应压强以及微波功率对微晶硅薄膜非晶转微晶相变及其相关性能的影响.实验结果表明:当氢稀释比为94％、反应压强为1.5Pa以及微波功率为500W时,高质量的微晶硅薄膜可以被获得,如2.86* 104的高光敏性,1nm左右的沉积速率以及8.9％的光致衰退速率等.
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