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在探讨电化学方法沉积GaAs薄膜的工艺原理、电化学动力学过程、电极反应本质及摸索电化学工艺条件对薄膜成分影响的经验规律的基础上,以SnO2导电玻璃作为阴极衬底材料,从简单盐水溶液中,按照确定的电共沉积的工艺条件成功地沉积了化学计量比趋近于1的GaAs薄膜.并对薄膜的性能进行了一些测定.实验结果表明采用电化学方法制备化合物半导体GaAs薄膜的可行性及薄膜性能质量改善提高的一些途径.为后续研究及最终获得可以利用的材料打下了基础.