采用SiGe工艺的低相位噪声压控振荡器

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【摘要】

：

采用0.35μm-BiCMOS-SiGe工艺,设计了单片集成的低相位噪声差动压控振荡器.在电路设计中,需要的在VCO的三个主要性能参数：可调范围、功耗、相位噪声间作出折中的考虑.最终设计

【作者】

：

周春宇张鹤鸣马鹏飞江勇

【机构】

：

西安电子科技大学微电子学院

【出处】

：

电子科技

【发表日期】

：

2007年10期

【关键词】

：

收发机锗硅电感压控振荡器相位噪声 transceiver SiGe inductor voltage controlled oscillator

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采用0.35μm-BiCMOS-SiGe工艺,设计了单片集成的低相位噪声差动压控振荡器.在电路设计中,需要的在VCO的三个主要性能参数：可调范围、功耗、相位噪声间作出折中的考虑.最终设计的VCO电路工作电压为3.3 V,核心电路的功耗为10 mV.在1 MHz频率偏移下的相位噪声为-114 dBe/Hz.振荡频率范围为5.825 GHz～5.065 GHz,相应的调谐电压为0～2.2 V.最后得出结论：0.35μm-SiGe的性能优于0.181μm-CMOS的性能

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