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采用X射线衍射及峰形拟合技术，结合AgCd和AgSn合金相图对雾化工艺制备的AgCd和AgSn合金粉的相结构进行分析，结果表明，Agcd雾化合金粉中Cd原子进人Ag的晶格格点位置，形成固溶结构，在氧化后可以使Ag与CdO之间有比较牢固的化学键结合；AgSn雾化合金粉中含有Ag，Sn和Sn两相，析出的Sn相与Ag相晶体结构差异较大，氧化后Ag与SnO2之间的结合不牢固，这可能是导致AgCdO电接触材料比AgSnO2电接触材料性能优越的一个重要原因。