ZnO纳米粒子结构对光电量子限域特性的影响

来源 :高等学校化学学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:qinyongj
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ZnO作为一种宽禁带(3.36 eV)高激子结合能(60 meV)的半导体材料已引起人们的关注.ZnO纳米粒子的比表面积较大,表面活性较高,对周围环境敏感,使其成为传感器制作中最有前途的材料[1],还在太阳能转换[2]、发光材料[3]、半导体表面修饰与敏化[4]、纳米电子学以及分子电子学器件[5]等领域显示出广阔的应用前景.制约这些应用的关键是ZnO纳米粒子表面和界面的电子结构和电荷转移行为,但有关此方面的报道较少.本文用溶胶-凝胶法制备了不同粒径的ZnO纳米粒子,应用表面光电压谱(SPS)和场诱导表面光
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