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利用硅烷偶联剂KH-570（γ-甲基丙烯酰氧基甲氧基硅烷）水解缩合生成的多面低聚倍半硅氧烷（POSS）溶胶为模板剂，经热解制备低介电多孔薄膜材料．使用FTIR对材料制备过程及形成机制进行动态研究，通过^29Si NMR、椭偏仪、氮气吸脱附曲线和TEM等对材料的介电性质、孔洞大小和分布情况进行表征．制备的介电多孔薄膜材料孔洞分布均匀、孔径约1nm，比表面积为384．1m^2／g，介电常数为2．5的低．