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用共振喇曼散射研究半导体的能带结构,实验观察了Ga<sub>1-x</sub>Al<sub>x</sub>As直接带隙单声子和GaP在间接带隙(г<sub>3v</sub>—X<sub>3c</sub>)附近的双声子共振特性。阐述了由喇曼光谱测量确定Ⅲ—V族半导体的载流子浓度。
用喇曼光谱测定Ⅲ—Ⅴ族半导体带隙和载流子浓度
【摘 要】
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用共振喇曼散射研究半导体的能带结构,实验观察了Ga<sub>1-x</sub>Al<sub>x</sub>As直接带隙单声子和GaP在间接带隙(г<sub>3v</sub>—X<sub>3c</sub>)附近的双声子共振特性
【机 构】
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厦门大学,厦门大学
【出 处】
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固体电子学研究与进展
【发表日期】
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1992年3期
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