采用根管土柱栽培的方法,研究不同水分胁迫(W1:正常供水;W2:中度干旱;W3:重度干旱)下施磷深度[距离地表10、20、30 cm施磷以及3层均匀施入磷肥(P10、P20、P30和P-all)]对苦荞盛花期根系抗氧化特性和产量的影响,以期为苦荞旱地栽培提供技术支持和理论依据.结果表明,水分胁迫、施磷深度及二者交互作用对苦荞盛花期根系抗氧化特性、产量及其构成因素均有显著或极显著影响.在盛花期,随着水分胁迫程度的增加,不同土层深度苦荞根系丙二醛(MDA)含量呈显著增加的趋势;超氧化物歧化酶(SOD)、过氧化物酶(POD)活性总体呈先升高后降低的趋势,以W2处理最高.与W1处理相比,W2处理0～10、10～20、20～30、30～45 cm 土层根系SOD活性分别平均提高33.71％、42.62％、46.77％、41.32％,POD活性分别平均提高43.73％、41.55％、39.42％、42.03％.从不同施磷深度看,无论在哪种水分条件下,施磷均会提高施磷层苦荞根系SOD、POD活性,降低MDA含量,且深层施磷有利于本层以及下层根系抗氧化酶活性的提高,降低MDA含量.随着水分胁迫程度的增加,苦荞产量及其构成因素均呈显著下降的趋势,与W1处理相比,W3处理苦荞主茎分枝数、单株粒数、千粒质量、产量分别平均降低23.77％、35.30％、9.66％、14.13％.无论在哪种水分条件下,P20处理苦荞主茎分枝数、单株粒数、千粒质量、产量均达到最高值.综上,无论在哪种水分条件下,苦荞产量均以距离地表20 cm深处施磷处理(P20处理)最高,建议在旱作农业种植苦荞时通过适当深施磷肥,达到增产的目的.