论文部分内容阅读
介绍了一种采用磁控溅射AlN介质作为绝缘层的的SiC衬底AlGaN／GaN MIS-HEMT。器件研制中采用了凹槽栅和场板结构。采用MIS结构后，器件击穿电压由80V提高到了180V以上，保证了器件能够实现更高的工作电压。在2GHz、75V工作电压下，研制的200μm栅宽AlGaN／GaNMIS-HEMT输出功率密度达到了14．4W／mm，器件功率增益和功率附加效率分别为20．51dB和54．2％。