【摘 要】
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本文比较详细地研究射频溅射Sn膜—热处理氧化制备SnO_2薄膜的工艺因素对薄膜结构的影响,得到了采用该新工艺制备SnO_2薄膜的最佳条件:首先采用350W×0.10Pa×20min的射频溅
【机 构】
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广西师范大学新技术新材料研究所,广西师范大学新技术新材料研究所,广西师范大学新技术新材料研究所
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本文比较详细地研究射频溅射Sn膜—热处理氧化制备SnO_2薄膜的工艺因素对薄膜结构的影响,得到了采用该新工艺制备SnO_2薄膜的最佳条件:首先采用350W×0.10Pa×20min的射频溅射工艺制备 β-Sn膜;然后采用在550～650℃温度条件下保温2～3h的热处理工艺制备出SnO_2薄膜。X-射线衍射实验结果表明,在该工艺条件下可以得到非常细小均匀的纳米级SnO_2晶体结构,为薄膜型SnO_2气敏元件新工艺研究提供了基础性资料。
In this paper, the effect of RF sputtering Sn film on the structure of SnO_2 thin films was investigated in detail. The optimum conditions for the preparation of SnO_2 thin films were obtained. First, a RF sputtering of 350W × 0.10Pa × 20min Then the SnO 2 thin films were prepared by thermal treatment at 550 ~ 650 ℃ for 2 ~ 3h. X-ray diffraction experimental results show that under the conditions of the process can be very fine uniform nanoscale SnO 2 crystal structure for the thin-film SnO 2 gas sensor new technology provides a basic information.
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