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Th—GSH单层膜修饰电极和多巴胺的准可逆响应
Th—GSH单层膜修饰电极和多巴胺的准可逆响应
来源 :电化学 | 被引量 : 0次 | 上传用户:bfxbfxabc
【摘 要】
:
在谷胱甘肽(GSH)自组装膜(SAM)修饰的金电极表面共价固定硫堇(Th)分子,研究其电化学性质及相关应用,发现该电极对多巴胺(DO)有准可逆响应.利用多巴胺的还原峰可在较高浓度的
【作 者】
:
方程
栾政
张悟铭
周性尧
【机 构】
:
武汉大学化学系
【出 处】
:
电化学
【发表日期】
:
2002年3期
【关键词】
:
Th-GSH单层膜
修饰电极
准可逆响应
谷胱甘肽
硫堇
多巴胺
抗坏血酸
自组装膜
检测
电化学性能
Glutathione
Thionine
Dopam
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在谷胱甘肽(GSH)自组装膜(SAM)修饰的金电极表面共价固定硫堇(Th)分子,研究其电化学性质及相关应用,发现该电极对多巴胺(DO)有准可逆响应.利用多巴胺的还原峰可在较高浓度的抗环血酸(AA)存在条件下(100倍)对多巴胺进行检测,线性响应范围为1.0~300μmol*L-1.
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