自旋注入效率的电学探测

来源 :解放军理工大学学报：自然科学版 | 被引量 : 0次 | 上传用户：vikdl

【摘要】

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为了探测从铁磁FM(ferromagnet)到半导体SM(semiconductor)的自旋注入效率,可以通过增加另一个铁磁体来形成一个铁磁/半导体/铁磁(FM/SM/FM)的双结,通过直接测量此双结的磁阻

【作者】

：

杨军汪军

【机构】

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解放军理工大学,南京大学

【出处】

：

解放军理工大学学报：自然科学版

【发表日期】

：

2005年6期

【关键词】

：

双结自旋注入效率电学探测 double junction spin injection efficiency electric detection

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为了探测从铁磁FM(ferromagnet)到半导体SM(semiconductor)的自旋注入效率,可以通过增加另一个铁磁体来形成一个铁磁/半导体/铁磁(FM/SM/FM)的双结,通过直接测量此双结的磁阻效应,从而得到从铁磁(FM)到半导体(SM)节的自旋注入效率.理论分析发现其隧道磁阻TMR(tunnelling magnetore resistance)和自旋注入效率SIE(spin injection efficiency)之间有个普适关系:隧道磁阻是自旋注入效率的平方.这种平方关系在顺序隧穿区和

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