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采用高强度激光灼蚀沉积(PLD)的方式,在流动N2做为保护气体的情况下,成功制备出Si纳米结构,并利用扫描电镜(SEM)、光致发光(PL)进行表征.结果表明,该方法制备的纳米Si尺寸在几nm到几10 nm之间,同时它具有较强的发光,发光强度比同等测量条件下的多孔Si(PS)样品高10倍以上,而且方法比较简单.