阵列式场致发射结构的电特性

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我们报道了湿法腐蚀的阵列式硅场致发射锥尖的实验结果。给出了Ⅰ-Ⅴ测试结果和角分辨的电子发射能谱。我们发现场致发射发生在具有极小曲率半径的有效表面积中的很小一部分。能谱仪测定的结果表明了硅中在低于费米能级以下几电子伏的地方产生发射,并给出了△E=0.28eV的半高宽(FWHM)。 We report the experimental results of a wet-etched array silicon field emission cone tip. The I-V test results and the angular resolved electron emission spectra are given. We found that field emission occurs at a small fraction of the effective surface area with a very small radius of curvature. The results of the spectrometer measurements show that the emission is generated in silicon below a few electron volts below the Fermi level and gives a full width at half maximum (FWHM) of ΔE = 0.28 eV.
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