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用电子束蒸发的方法在单晶硅（100）基片上制备了硼碳氮薄膜，通过椭圆偏振仪、X射线衍射仪（XRD）、X光电子能谱仪（XPS）、傅立叶红外光谱仪（FTIR），测试分析了薄膜厚度均匀性、成分与结构。结果表明，薄膜均匀性较好，薄膜的沉积速率非常慢；薄膜在衬底温度为常温下沉积已是晶态的，随着衬底温度升高到450℃，其结晶性逐渐增强；薄膜不是石墨与BN的混和膜而是C、B、N相互结合成键。