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报道了用硅离子注入热氧化生长的ＳｉＯ２层后热退火的方法制备纳米硅样品，并在室温下测量了样品的光致发光谱及其退火温度的关系，实验结果表明，在８００℃以下退火的样品的发光是由于离子注入而引入ＳｉＯ２层的缺陷发光。在９００℃以上退火，才观察到纳米硅的发生，在１１００℃下退火，纳米硅发光达到最强，纳米硅的发光峰随退火温度升高而红移呈量子尺寸效应。在直角散射配置下，首次观察到纳米硅的特征拉曼射峰，进一步证实