【摘 要】
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GaAsMMICSPST和SPDT开关,由于其体积小、重量轻、无功耗,在许多电子系统和电子设备中得到广泛应用,南京电子器件研究所最近研究出高性能DC-20GHz超宽带反射型GaAsMMIC单刀单
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GaAsMMICSPST和SPDT开关,由于其体积小、重量轻、无功耗,在许多电子系统和电子设备中得到广泛应用,南京电子器件研究所最近研究出高性能DC-20GHz超宽带反射型GaAsMMIC单刀单掷(SPST)和单刀双掷(SPDT)两种开关,获得了优异电性能。这两种开关,均采用了反射型宽带开关电路拓扑,运用了CAD优化设计和独到的电路版图设计技巧,采用了独特的GaAsMESFET开关器件结构和GaAsMMIC离子注入工艺制造技术,设计制造了高性能DC-20GHz超宽带反射型GaAsMMICSPST和SPDT
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