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布里兹曼法碲镉汞(Hg1—xCdxTe)晶体生长过程热场的数值分析
布里兹曼法碲镉汞(Hg1—xCdxTe)晶体生长过程热场的数值分析
来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:ha1cy0n
【摘 要】
:
用控制容积法对布里兹曼碲镉汞(Hg1-xCdxTe)晶体生长过程热场分布进行了计算。介绍了控制容积公式的推导和边界条件的处理,并对所得结果进行了分析。虽然碲镉汞晶体生长时热场受系统的影响
【作 者】
:
王培林
魏科
【机 构】
:
哈尔滨工业大学自控系
【出 处】
:
半导体学报
【发表日期】
:
1994年9期
【关键词】
:
晶体生长
布里兹曼法
碲镉汞
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用控制容积法对布里兹曼碲镉汞(Hg1-xCdxTe)晶体生长过程热场分布进行了计算。介绍了控制容积公式的推导和边界条件的处理,并对所得结果进行了分析。虽然碲镉汞晶体生长时热场受系统的影响情况错综复杂,但从本文的研究结果中仍可看出一些明显的规律,可供从事该方面研究工作时参考。
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