【摘 要】
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挠性覆铜板(FCCL)是电子信息领域的基础材料,随着电子产品高集成化、高密度化、高频化的发展,对具有低介电损耗特点的聚酰亚胺/铜(PI/Cu)双层覆铜板的需求越来越大。目前高端
【机 构】
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北京大学深圳研究生院新材料学院,深圳后浪铜箔科技有限公司
【基金项目】
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材料基因组国家重点研发计划(2016YFB0700600),博士后创新人才支持计划(BX20190001)
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挠性覆铜板(FCCL)是电子信息领域的基础材料,随着电子产品高集成化、高密度化、高频化的发展,对具有低介电损耗特点的聚酰亚胺/铜(PI/Cu)双层覆铜板的需求越来越大。目前高端FCCL的生产中存在膜基结合力差、Cu致密度低、环境污染等问题。本文提出利用兼具高离化率、高沉积速率特点的持续高功率磁控溅射技术(C-HPMS),通过多步离子能量控制在PI表面实现了真空环境下的Cu膜制备,研究了溅射功率密度、沉积温度和基底偏压对Cu膜沉积速率、致密度、膜基结合力等性能的影响,发现用C-HPMS制备Cu膜,沉积速率可
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