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采用增强／耗尽型（E／D）结构的赝配高电子迁移率晶体管（PHEMT）技术，研制开发的砷化镓MMIC单片六位数字控制衰减器，具有衰减精度准确、承受功率大、线性度高等特点，并且集成了驱动器，使得输入信号控制线减少了一半，大大减少了系统布线的难度。产品由GaAs PHEMT标准工艺线加工。测试结果表明，在0．05-3．0GHz带内，插入损耗≤2．3dB@3GHz，带内输入输出驻波比≤1．5，衰减精度在土（0．3dB＋3％）以内，1dB压缩功率点达到了27dBm，IP3超过了＋45dBm。