驱动AM-OLED的2-a-Si：H TFT的设计与制作

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【摘要】

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a-Si：H／SiNx：H TFT在长时间栅偏应力作用下，会产生阈值电压漂移，这主要是由绝缘层电荷注入和有源层亚稳态产生而引起的。针对电荷注入现象，文章首先通过控制源气体SiH4和NH3流量的

【作者】

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刘金娥廖燕平齐小薇高文涛荆海付国柱李世伟邵喜斌

【机构】

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中国科学院长春光学精密机械与物理研究所北方液晶工程研究开发中心,中国科学院研究生院,吉林北方彩晶数码电子有限公司

【出处】

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液晶与显示

【发表日期】

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2006年6期

【关键词】

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OLED 阈值电压漂移 N/Si C-V 2-a-Si:H TFT OLED threshold voltage shift N/Si C-V measu

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a-Si：H／SiNx：H TFT在长时间栅偏应力作用下，会产生阈值电压漂移，这主要是由绝缘层电荷注入和有源层亚稳态产生而引起的。针对电荷注入现象，文章首先通过控制源气体SiH4和NH3流量的不同，利用PECVD制作了不同N／Si比（0．87～1．68）的氮化硅绝缘材料，对其进行了椭偏、红外和光电子散射能谱（EDS）测试。制作了不同的MIS结构电容，对其进行老化实验和C-V测试分析，结果表明稍富氮（N／Si比稍大于标准Si3N4的化学计量比1．33）的氮化硅做成的M1S样品在老化前后C-V曲线偏移不是很明

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