【摘 要】
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对QCr0.8/TC4进行电子束焊接,研究焊缝中金属间化合物层（即IMC-layer）对接头力学性能的不利影响,提出利用电子束二次叠加焊接方式来改善接头性能的思路。结果表明,对中焊时在铜
【机 构】
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哈尔滨工业大学先进焊接与连接国家重点实验室
【基金项目】
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Project （2010CB731704） supported by the National Basic Research Program of China
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对QCr0.8/TC4进行电子束焊接,研究焊缝中金属间化合物层（即IMC-layer）对接头力学性能的不利影响,提出利用电子束二次叠加焊接方式来改善接头性能的思路。结果表明,对中焊时在铜侧熔合线处形成的金属间化合物层,偏铜侧焊接时在钛侧熔合线处形成的金属间化合物层,是接头中的薄弱环节。利用电子束叠加焊接方式,须合理设计焊接顺序。先进行对中焊,再利用偏铜侧焊接,可将第一道焊缝形成的金属间化合物层破碎重熔,形成组织较好的化合物层,改善接头的力学性能。接头的抗拉强度为276.0MPa,达到了母材强度的76.7%
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