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采用光增益与载流子浓度的对数关系，从理论上推导出量子阱垂直腔面发射半导体激光器的速率方程。比较了三维理想封闭腔与普通开腔中的特性曲线这将对于ＶＣＳＥＬｓ的理论研究和优化器件结构有所裨益。
多量子阱VCSELs阈值特性的分析
【摘 要】
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采用光增益与载流子浓度的对数关系，从理论上推导出量子阱垂直腔面发射半导体激光器的速率方程。比较了三维理想封闭腔与普通开腔中的特性曲线这将对于ＶＣＳＥＬｓ的理论研究和优化器件结
【机 构】
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西南交通大学计算机与通信工程学院
【出 处】
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激光杂志
【发表日期】
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1999年3期
【基金项目】
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国家自然科学基金
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