双栅非晶InGaZnO薄膜晶体管有源层厚度对电学性能的影响

来源 :华南理工大学学报(自然科学版) | 被引量 : 0次 | 上传用户：ysy8023zq

【摘要】

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双栅非晶InGaZnO薄膜晶体管（DG a-IGZO TFTs）具有比单栅a-IGZO TFTs更优良的电学性能.文中基于a-IGZO/SiO_2界面缺陷态呈指数型分布的模型,讨论了在界面缺陷态影响下双栅驱动的

【作者】

：

蔡旻熹姚若河

【机构】

：

华南理工大学电子与信息学院

【出处】

：

华南理工大学学报(自然科学版)

【发表日期】

：

2016年9期

【关键词】

：

双栅非晶InGaZnO薄膜晶体管界面缺陷态场效应迁移率亚阈值摆幅

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双栅非晶InGaZnO薄膜晶体管（DG a-IGZO TFTs）具有比单栅a-IGZO TFTs更优良的电学性能.文中基于a-IGZO/SiO_2界面缺陷态呈指数型分布的模型,讨论了在界面缺陷态影响下双栅驱动的DG a-IGZO TFTs有源层厚度对电学性能的影响.研究结果表明：随着有源层厚度的减小,双栅驱动模式下DG a-IGZO TFTs两栅极的耦合作用增强,有源层上、下表面的导电沟道向体内延伸,使器件的场效应迁移率显著增加;界面缺陷态对DG a-IGZO TFTs场效应迁移率的影响随着有源层厚度的减

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