【摘 要】
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利用测量瞬态反射谱的方法,探索了掺硫、铁、锌以及非掺杂的InP中载流子寿命。观察到非掺杂InP中载流子寿命最长约60ps;掺锌Inp中载流子寿命38Ps居中;掺硫和掺铁的寿命最短约1ps。掺硫、铁和锌的InP中载
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利用测量瞬态反射谱的方法,探索了掺硫、铁、锌以及非掺杂的InP中载流子寿命。观察到非掺杂InP中载流子寿命最长约60ps;掺锌Inp中载流子寿命38Ps居中;掺硫和掺铁的寿命最短约1ps。掺硫、铁和锌的InP中载流子寿命下降,是由于掺杂引入了复合中心。这一结果已被喇曼光谱所证实。
Using the method of measuring transient reflection spectra, the lifetime of carriers doped with sulfur, iron, zinc and undoped InP was explored. It is observed that the lifetime of carriers in undoped InP is up to 60 ps, the lifetime of carriers in zinc-doped Inp is centered, and the lifetime of sulfur-doped and iron-doped is about 1 ps. Carrier lifetime decline in InP doped with sulfur, iron and zinc is due to doping introduced into the recombination center. This result has been confirmed by Raman spectroscopy.
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