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采用高频(1MHz)C-V测试和红外谱,研究了工艺参数对Xe激发真空紫外光(VUV)直接光CVD SiO2的SiO2/Si界面特性的影响。结果表明:衬底温度Ts对固定氧化物电荷密度ΔNot、慢界面态密度ΔNst的影响比反应室总气压Pc和SiH2/O2分压比显著。ΔNot和ΔNst在110℃附近有极小值,大小为10^10cm^-2量级。Ts〉120℃,ΔNot呈正电荷性,Ts〈110℃,ΔNot呈负