掺Sn的In_2O_3透明导电膜生长优先取向对其光电性能的影响

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采用反应热蒸发法制备掺sn的In203(ITO)透明导电膜,系统研究了ITO薄膜生长的优先取向对其光电性能的影响,结果表明,ITO薄膜(400)取向的优先生长对其透过率影响很小,但可明显增加载流子迁移率,从而有效降低了薄膜的方块电阻。在两个相同的薄膜硅/单晶硅太阳能电池上分别沉积(222)和(400)ITO优先取向膜,光电转换效率分别为10.3%和12.9%,表明(400)取向更有利于提高电池效率。经优化,最佳衬底温度(Ts)为225℃,最佳氧流量(fo2)为4sccm。在优化的沉积条件下制备ITO薄膜,
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