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高浓度离子注入砷隐埋层技术
高浓度离子注入砷隐埋层技术
来源 :微处理机 | 被引量 : 0次 | 上传用户:shalaoshi
【摘 要】
:
高浓度离子注入砷隐埋层技术与扩散锑埋层技术相比,具有表面浓度高,硅表面无合金点等优点。应用该技术成功地研制了具有国际先进水平的“DYL多元逻辑八位高速视频D/A转换器”集成电路
【作 者】
:
樊崇德
陆剑侠
【机 构】
:
电子工业部东北微电子研究所,110032
【出 处】
:
微处理机
【发表日期】
:
1996年2期
【关键词】
:
离子注入
隐埋层
双极型集成电路
砷
集成电路
Arsenic Ion Implant Buried-Layer TTL IC
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高浓度离子注入砷隐埋层技术与扩散锑埋层技术相比,具有表面浓度高,硅表面无合金点等优点。应用该技术成功地研制了具有国际先进水平的“DYL多元逻辑八位高速视频D/A转换器”集成电路。
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