0.18μm CMOS工艺10Gb/s VCSEL电压驱动器设计

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采用SMIC0.18μm1P6M混合信号CMOS工艺设计了10Gb/sVCSEL电压驱动器,可以用于驱动共阴结构的VCSEL。电路采用了RC负反馈技术和C3A(电容耦合电流放大器)结构,仿真结果表明,电路在10Gb/s速率下工作性能良好,最高可工作至12.5Gb/s。电路采用1.8V和3.5V电压供电,直流总功耗为164mw。
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