【摘 要】
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采用SMIC0．18μm1P6M混合信号CMOS工艺设计了10Gb／sVCSEL电压驱动器，可以用于驱动共阴结构的VCSEL。电路采用了RC负反馈技术和C3A（电容耦合电流放大器）结构，仿真结果表明，电路在10Gb
【机 构】
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东南大学射频集成电路与系统教育部工程研究中心
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采用SMIC0．18μm1P6M混合信号CMOS工艺设计了10Gb／sVCSEL电压驱动器，可以用于驱动共阴结构的VCSEL。电路采用了RC负反馈技术和C3A（电容耦合电流放大器）结构，仿真结果表明，电路在10Gb／s速率下工作性能良好，最高可工作至12．5Gb／s。电路采用1．8V和3．5V电压供电，直流总功耗为164mw。
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