【摘 要】
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采用SF6/O2作为刻蚀气体,对单晶6H-SiC材料的感应耦合等离子体（ICP）刻蚀工艺进行了研究。分析了ICP功率、偏置电压、气体混合比等工艺参数对刻蚀速率和刻蚀质量的影响。结果表
【机 构】
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西安电子科技大学微电子学院,西北工业大学航空微电子中心
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采用SF6/O2作为刻蚀气体,对单晶6H-SiC材料的感应耦合等离子体（ICP）刻蚀工艺进行了研究。分析了ICP功率、偏置电压、气体混合比等工艺参数对刻蚀速率和刻蚀质量的影响。结果表明,刻蚀速率随着ICP功率及偏置电压的增大而提高,刻蚀表面质量随偏置电压及O2的含量的增大而降低,而ICP功率的变化对刻蚀质量影响不大。混合气体中O2含量为20%时刻蚀速率达到最大值,同时加入氧气后形成易于充电的SiFxOy中间层,从而促进了微沟槽的形成。
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