【摘 要】
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伏安曲线和现场光电流测定用于研究在钛基体上阴极电沉积形成Cdse 薄膜的机理.XPS实验表明,CdSe沉积层的组成与沉积电位、沉积时间和溶液组成有关.在0.1mol·L~(-1)CdSO_
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伏安曲线和现场光电流测定用于研究在钛基体上阴极电沉积形成Cdse 薄膜的机理.XPS实验表明,CdSe沉积层的组成与沉积电位、沉积时间和溶液组成有关.在0.1mol·L~(-1)CdSO_4+4mmol·L~(-1)H_2 SeO_3+0.2mol·L~(-1)H_2 SO_4溶液中,当电位比-0.50V正时生成富Se层,而当电位比-0.70V还负时生成富Cd层.在-0.69 V下沉积,沉积层的Se/Cd计量比接近1.1.在同一电位下,若提高H_2Se0_3浓度,则沉积物中S
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